Η Samsung Electronics Co., Ltd., ανακοίνωσε ότι ολοκλήρωσε την ανάπτυξη της DRAM Graphics Double Data Rate 7 (GDDR7). Η μνήμη θα εγκατασταθεί αρχικά φέτος σε συστήματα επόμενης γενιάς βασικών πελατών για δοκιμή, ωθώντας τη μελλοντική ανάπτυξη της αγοράς γραφικών.

Μετά την ανάπτυξη της GDDR6 DRAM 24 Gbps το 2022 από τη Samsung, η μνήμη GDDR7 16 gigabit (Gb) της εταιρείας θα προσφέρει υψηλότερη ταχύτητα. Οι καινοτομίες στον σχεδιασμό και τη συσκευασία ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (Integrated Circuit) παρέχουν σταθερότητα παρά τις λειτουργίες υψηλής ταχύτητας.

«Η GDDR7 DRAM θα βοηθήσει να βελτιώσουμε τις εμπειρίες των χρηστών σε τομείς που απαιτούν εξαιρετική απόδοση γραφικών, όπως σταθμούς εργασίας, υπολογιστές και κονσόλες παιχνιδιών, ενώ αναμένεται να την επεκτείνουμε μελλοντικά σε εφαρμογές όπως η τεχνητή νοημοσύνη, οι υπολογιστές υψηλής απόδοσης (HPC) και τα αυτοκίνητα». «Η επόμενη γενιά DRAM γραφικών θα κυκλοφορήσει στην αγορά αναλόγως τη ζήτηση του κλάδου, ενώ σκοπεύουμε να συνεχίσουμε την ηγετική μας θέση στον χώρο», δήλωσε ο Yongcheol Bae, Εκτελεστικός Αντιπρόεδρος της Ομάδας Σχεδιασμού Προϊόντων Μνήμης στη Samsung Electronics.

Η GDDR7 της Samsung επιτυγχάνει ένα εντυπωσιακό εύρος ζώνης 1,5 terabytes-per-second (TBps), το οποίο είναι 1,4 φορές μεγαλύτερο από το 1,1TBps της GDDR6 και διαθέτει ενισχυμένη ταχύτητα ανά pin έως και 32Gbps. Οι βελτιώσεις γίνονται δυνατές με τη μέθοδο σηματοδότησης Pulse-Amplitude Modulation (PAM3) που υιοθετήθηκε για το νέο πρότυπο μνήμης αντί για τη μέθοδο Non-Return-to-Zero (NRZ) που χρησιμοποιούταν σε προηγούμενες γενιές. Η μέθοδος PAM3 επιτρέπει τη μετάδοση 50% περισσότερων δεδομένων σε σχέση με τη NRZ στον ίδιο κύκλο σηματοδότησης.

Είναι σημαντικό ότι σε σύγκριση με τη μνήμη GDDR6, ο σχεδιασμός τώρα είναι 20% πιο ενεργειακά αποδοτικός με τεχνολογία σχεδιασμού εξοικονόμησης ενέργειας βελτιστοποιημένη για λειτουργίες υψηλής ταχύτητας. Για εφαρμογές που λαμβάνουν υπόψη τη χρήση ενέργειας, όπως οι φορητοί υπολογιστές, η Samsung προσφέρει μια επιλογή χαμηλής τάσης λειτουργίας.

Προκειμένου να μειωθεί η παραγωγή θερμότητας, εκτός από τη βελτιστοποίηση της αρχιτεκτονικής IC (Integrated Circuit), χρησιμοποιείται πλέον μια εποξειδική ένωση χύτευσης (EMC) με υψηλή θερμική αγωγιμότητα για το υλικό της συσκευασίας. Αυτές οι βελτιώσεις μειώνουν δραματικά τη θερμική αντίσταση κατά 70% σε σύγκριση με τη μνήμη GDDR6, βοηθώντας στη σταθερή απόδοση του προϊόντος ακόμη και σε συνθήκες λειτουργίας υψηλής ταχύτητας.